SK Hynix는 HBM2E 표준을 기반으로 메모리를 발표 한 두 번째 회사로서 모자를 울 렸습니다. 회사는 메모리에 대해 어떤 종류의 플래시 이름도 사용하지 않지만 (ala Samsung의 Flashbolt) 차세대 하이 엔드 프로세서를 위해 더 빠르고 더 높은 밀도의 HBM2 메모리를 출시한다는 아이디어는 동일합니다. 하이닉스의 HBM2E 메모리는 최대 3.6Gbps에 도달 할 것으로 예상되며, 현재로서는 2020 년에 출시 될 때 시장에서 가장 빠른 HBM2E 메모리가 될 것입니다.

빠른 리프레셔로서 HBM2E는 성능을 향상시키기 위해 HBM2 표준 을 약간 업데이트하여 더 높은 클럭 속도, 더 높은 밀도 (12 계층에서 최대 24GB) 및 기본 변경 사항을 허용하는 중간 세대의 키커 역할을합니다. 그런 일이 일어나도록해야합니다. 삼성은 올해 초 HBM2E 메모리를 발표 한 최초의 메모리 공급 업체 였으며 최대 3.2Gbps로 실행되는 16GB / 스택 플래시 볼트 메모리 를 사용했다. 당시 삼성은 출시 날짜를 발표하지 않았으며 우리가 아는 한 대량 생산은 아직 시작되지 않았습니다.


SK 하이닉스는 이제 자신 만의 HBM2E 메모리를 준비하고 있습니다. 성능 측면에서 SK 하이닉스는 자사의 메모리가 최대 3.6Gbps / 핀으로 클럭킹 할 수 있으며, 이는 전체 1024 핀 스택에 총 460GB / sec의 메모리 대역폭을 제공 할 것이며 HBM2E 메모리 속도. 또한 여러 스택 (예 : 서버 GPU)을 사용하는 고급 장치의 경우 4 스택 프로세서를 최대 1.84TB / 초의 메모리 대역폭과 쌍을 이룰 수 있습니다. 한편 용량은 8Gb / 계층에서 16Gb / 계층으로 배가되어 전체 8Hi 스택이 총 16GB에 도달 할 수 있습니다. 개정 된 HBM2 표준은 실제로 총 24GB / 스택의 12-Hi 스택을 허용하지만, 아직 아무도 그 밀도가 높은 메모리를 발표하는 것을 보지 못했습니다.

SK 하이닉스의 발표를 감안할 때 HBM2 메모리 속도가 얼마나 빨라 졌는지를 주목하는 것이 흥미 롭습니다. 이는 특히 HBM2 사양을 약간만 수정하면 단기간에 상당히 큰 이득입니다. 즉, SK 하이닉스 (및 삼성)가 8시 Hi 스택의 열을 어떻게 처리 할 것인지에 대해서는 여전히 궁금합니다. HBM 설계 철학은 넓고 느리며 3.6Gbps는 그리 느리지 않습니다.

SK 하이닉스는 2020 년 HBM2E 메모리 양산에 돌입하여“최고 수준의 메모리 성능을 요구하는 슈퍼 컴퓨터, 머신 러닝 및 인공 지능 시스템”에 새로운 메모리를 사용할 것으로 기대하고 있습니다. 오늘날 HBM2가 이미 많이 사용되고있는 최종 애플리케이션이므로 HBM2E는 해당 시장으로 자연스럽게 확장됩니다. 동시에 HBM2의 가격 / 여백도 반영합니다. HBM2는 메모리 제조업체가 완벽하게 만족하는 상황 인 출시 이후에도 여전히 고가에 머물 렀 으며 HBM2E가이를 바꿀 것으로 기대하지는 않습니다. 따라서 SK 하이닉스의 HBM2E 메모리는 서버 및 기타 고급 장비의 도메인으로 남아있을 것으로 예상됩니다.

출처 : SK 하이닉스